微電子行業SEM樣品制備方法及應用 

徠卡精研一體機TXP可以對樣品進行準確定位研磨，高效率的處理以往難以制備的樣品。徠卡三離子束切割拋光儀TIC3X可對樣品進行無應力損傷和無磨料污染的氬離子束切割拋光，確保樣品適合高倍率掃描電鏡圖像觀察，或者EDS和EBSD分析。徠卡超薄切片機UC7是利用鉆石刀對樣品進行精細準確切割，非常適合于銅、鋁和高分子膜層的截面制備。

TXP是徠卡研發的集切割、研磨、拋光、銑削和沖鉆五位一體的多功能精研一體機。

以TXP制備電子樣品的應用舉例：

 

芯片缺陷點剖析

 

樣品描述

樣品為厚度400微米長度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷點的記號筆標記位置）

使用金相顯微鏡放大200倍后發現右起第三根指針有一小截與第四根指針相連，為缺陷位置，需要從中間刨開。

（紅圈為目標位置，大約 8μm）

第一步

用金剛石鋸片切斷樣品，距離目標位置800μm左右。（TXP精研一體機省去包埋）

（加工角度，樣品傾斜30度觀察）

 

第二步

轉速1500轉/分鐘，400#碳化研磨砂紙，研磨量600μm。研磨過程芯片邊緣不破損，平整無倒角！

（芯片正面觀察角度，400#碳化硅砂紙研磨之后）

 

第三步

轉速2300轉/分鐘，9微米金剛石砂紙研磨，研磨量120μm，研磨之后樣品劃痕變細。

 

第四步

轉速2300轉/分鐘，2微米金剛石砂紙研磨，研磨量為60μm，研磨之后樣品劃痕變細！

 

第五步

轉速2300轉/分鐘，0.5μm金剛石砂紙研磨，研磨量為20μm，研磨之后樣品面到達觀察分析要求！

 

芯片制樣結果

（芯片表面觀察角度）

（芯片截面觀察角度）